[发明专利]组分渐变AlyGa1-yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构无效

专利信息
申请号: 201210446920.7 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN102969341A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 彭大青;李忠辉 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L29/201 分类号: H01L29/201;H01L29/778;H01L29/06
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210016 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种组分渐变AlyGa1-yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构,采用组分渐变AlyGa1-yN缓冲层依然能够与GaN沟道层形成导带带阶,增强2DEG限域性,提高器件的微波性能和功率特性;AlyGa1-yN缓冲层采用组分由0渐变到y的结构,可以提高缓冲层热导率,有效降低AlGaN缓冲层HEMT器件的自热效应;相比常规的组分恒定AlyGa1-yN缓冲层,采用这种组分渐变AlyGa1-yN作缓冲层,能有效减低缓冲层中的位错等缺陷密度,有助于进一步提升器件的性能及可靠性。
搜索关键词: 组分 渐变 al sub ga 缓冲 氮化物 电子 迁移率 晶体管 外延 结构
【主权项】:
一种组分渐变AlyGa1‑yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构,其特征在于:包括衬底层,该衬底层上从下至上依次生长有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层,其中: 所述衬底层为蓝宝石、SiC或Si; 所述成核层为ALN、GaN或AlGaN; 所述沟道层为GaN; 所述势垒层为III‑V族氮化物多元合金薄膜; 所述缓冲层为AlyGa1‑yN,其中Al组分含量沿成核层向沟道层方向由0渐变到y,y为0.02~0.08。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所,未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210446920.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code