[发明专利]组分渐变AlyGa1-yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构无效
申请号: | 201210446920.7 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN102969341A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 彭大青;李忠辉 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L29/201 | 分类号: | H01L29/201;H01L29/778;H01L29/06 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210016 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种组分渐变AlyGa1-yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构,采用组分渐变AlyGa1-yN缓冲层依然能够与GaN沟道层形成导带带阶,增强2DEG限域性,提高器件的微波性能和功率特性;AlyGa1-yN缓冲层采用组分由0渐变到y的结构,可以提高缓冲层热导率,有效降低AlGaN缓冲层HEMT器件的自热效应;相比常规的组分恒定AlyGa1-yN缓冲层,采用这种组分渐变AlyGa1-yN作缓冲层,能有效减低缓冲层中的位错等缺陷密度,有助于进一步提升器件的性能及可靠性。 | ||
搜索关键词: | 组分 渐变 al sub ga 缓冲 氮化物 电子 迁移率 晶体管 外延 结构 | ||
【主权项】:
一种组分渐变AlyGa1‑yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构,其特征在于:包括衬底层,该衬底层上从下至上依次生长有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层,其中: 所述衬底层为蓝宝石、SiC或Si; 所述成核层为ALN、GaN或AlGaN; 所述沟道层为GaN; 所述势垒层为III‑V族氮化物多元合金薄膜; 所述缓冲层为AlyGa1‑yN,其中Al组分含量沿成核层向沟道层方向由0渐变到y,y为0.02~0.08。
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