[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201210447649.9 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103177764B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 金炳烈;金德柱 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 石卓琼,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法，所述半导体存储器件尤其通过如下步骤来操作将编程数据输入到与至少四个存储平面的选中的页耦接的页缓冲器，以对选中的页中包括的选中的存储器单元编程；对四个存储平面中的每个执行编程操作；对四个存储平面中的每个执行编程验证操作；以及在判定四个存储平面中的至少两个中的选中的页已经通过编程验证操作之后，将用于下一页的新的编程数据输入到与下一页耦接的页缓冲器，同时对其余的两个存储平面执行编程操作和编程验证操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作半导体存储器件的方法，包括以下步骤：将编程数据顺序输入到与四个存储平面中的至少一个存储平面的选中的页相耦接的页缓冲器，以对选中的页中包括的选中的存储器单元编程；对所述四个存储平面中的每个存储平面执行编程操作；对所述四个存储平面中的每个存储平面执行编程验证操作；以及在判定所述四个存储平面中的至少两个存储平面的选中的页已经通过编程验证操作之后，将用于下一页的新的编程数据输入到与所述下一页耦接的页缓冲器，同时对其余的存储平面执行编程操作和编程验证操作。
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