[发明专利]一种新的LED光刻显影工艺

摘要

本发明涉及一种新的LED光刻显影工艺，其特征在于，所述方法步骤如下：首先在显影槽中放满显影液，0.8％氢氧化钠溶液与2.38％四甲基氢氧化铵水溶液各两份，设定好显影机参数，让显影机摆臂上下摆动；片子放置在花篮上，然后将装满片子的花篮放在显影机的摆臂上，在显影液中晃动；用0.8％氢氧化钠溶液对N电极显影；用0.8％氢氧化钠溶液对ITO显影；用2.38％四甲基氢氧化铵水溶液对P、N电极显影；从显影槽中提出用清洗槽去离子水清洗干净，使其水阻值达到5MΩ·cm；最后用热氮烘干机吹干。本发明操作简单，更精确的控制显影过程，能有效减少显影不彻底或过显影现象。

主权项

一种新的LED光刻显影工艺，其特征在于，所述方法步骤如下：(1)首先在显影槽中放满显影液，0.8％氢氧化钠溶液与2.38％四甲基氢氧化铵水溶液各两份，设定好显影机参数，让显影机摆臂上下摆动；(2)片子放置在花篮上，然后将装满片子的花篮放在显影机的摆臂上，在显影液中晃动；(3)用0.8％氢氧化钠溶液对N电极显影：先在第一个显影槽中显影30秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；(4)用0.8％氢氧化钠溶液对IT0显影：先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影15秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；(5)用2.38％四甲基氢氧化铵水溶液对P、N电极显影：先在第一个显影槽中显影20秒，使光刻胶与显影液充分反应，然后取出放入第二个显影槽内显影20秒让反应物从晶片表面完全掉落后取出冲水；(6)从显影槽中提出用清洗槽去离子水清洗干净，使其水阻值达到5MΩ·cm；(7)最后用热氮烘干机吹干。