[发明专利]一种高温宽频对称梯度多孔氮化硅天线罩结构无效
申请号: | 201210447756.1 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN102931483A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 裴永茂;周立成;方岱宁 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01Q1/42 | 分类号: | H01Q1/42 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 苏爱华 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公布了一种高温宽频对称梯度多孔氮化硅天线罩结构。其梯度多孔氮化硅陶瓷层的气孔率由最外层和最里层向中间依次递增,这种梯度结构设计可以有效降低在1-100GHz范围内电磁波的功率反射率,从而实现宽频透波性能。其内外蒙皮为致密氮化硅陶瓷层,具有较高的刚度、强度等力学性能。这种梯度结构设计同时可以有效降低透波结构在内外表面温差为1400摄氏度下的产生的热应力,从而有效提高透波结构的高温力学性能。本发明的对称梯度多孔氮化硅天线罩结构的电信性能突出,强度、刚度及高温力学性能优越。 | ||
搜索关键词: | 一种 高温 宽频 对称 梯度 多孔 氮化 天线罩 结构 | ||
【主权项】:
一种高温宽频对称梯度多孔氮化硅天线罩结构,其特征是,所述天线罩结构由最外层和最里层的蒙皮层,以及多于100层的梯度过渡层组成;所述的天线罩结构的总厚度为8.5mm;所述的蒙皮层和梯度过渡层每层的厚度均相等;所述的蒙皮层为致密氮化硅陶瓷层;所述的梯度过渡层为多孔氮化硅陶瓷层,其中间层的气孔率为81%,其气孔率的分布由两边向中间按照指数为0.09的方式依次递增。
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