[发明专利]鳍结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210447851.1 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103811342B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种鳍结构及其制造方法。一示例方法可以包括对衬底进行构图，以在衬底的选定区域上形成初始鳍；在衬底上形成电介质层，使得电介质层实质上覆盖初始鳍，其中位于初始鳍顶部的电介质层厚度充分小于位于衬底上的电介质层厚度；以及对电介质层进行回蚀，以露出初始鳍的一部分，其中，初始鳍的露出的所述部分用作鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造鳍结构的方法，包括：对衬底进行构图，以在衬底的选定区域上形成高度不同的多个初始鳍，其中每个初始鳍具有5‑30nm的宽度；在衬底上形成电介质层，使得衬底上初始鳍之间的间隙中的电介质层的厚度超过初始鳍的高度从而填满所述间隙并实质上覆盖初始鳍，其中位于初始鳍顶部的电介质层厚度充分小于位于衬底上初始鳍之间的间隙中的电介质层厚度；去除电介质层的一部分和初始鳍的一部分，使得所述电介质层与初始鳍齐平；以及对电介质层进行回蚀，以露出初始鳍的一部分，其中，初始鳍的露出的所述部分用作鳍，其中，衬底在相邻初始鳍之间的部分的表面高度在衬底上有变化，所述多个初始鳍各自的顶面彼此实质上齐平，且电介质层在回蚀之后具有实质上平坦的顶面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
