[发明专利]全压接封装高压半导体器件有效
| 申请号： | 201210448143.X | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811424B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;张桥;颜家圣;吴拥军;孙亚男;杨宁;林煜风;张明辉;李娴;任丽;刘小俐 | 申请（专利权）人： | 湖北台基半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/28;H01L23/31;H01L29/04 |
| 代理公司： | 襄阳嘉琛知识产权事务所42217 | 代理人： | 严崇姚 |
| 地址： | 441021 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明的名称为全压接封装高压半导体器件，属于高压半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊结而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是管壳下封接件、下钼圆片、半导体芯片、上钼圆片、门极引线组件和管壳上封接件依次为压接接触；管壳上封接件中心设有安装孔；上钼圆片中心设有定位孔，门极引线组件卡入该定位孔内。本发明具有可消除芯片高温焊接产生的形变和应力，能满足电压5000V以上或芯片直径4吋及以上的高压半导体器件要求的特点，主要用于高压软启动电源、高压静止无功补偿电源、高压脉冲功率电源、高压直流输电等领域的高压半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 全压接 封装 高压 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种全压接封装高压半导体器件，包括管壳下封接件（1）、下钼圆片（2）、半导体芯片（3）、上钼圆片（4）、门极引线组件（6）和管壳上封接件（5），其特征是：所述管壳上封接件（5）中心设有安装孔，安装孔安装门极引线组件6，门极引线组件6高出管壳上封接件5表面；所述上钼圆片（4）中心设有定位孔，门极引线组件（6）卡入该定位孔内；管壳下封接件（1）、下钼圆片（2）、半导体芯片（3）、上钼圆片（4）、门极引线组件（6）和管壳上封接件（5）依次为压接接触；所述半导体芯片（3）晶片内部微观纵向对称结构P+P1N1P2N2中P1区、P2区为双层Al扩散层，分别进行两次高真空Al预沉积和两次高温Al推进扩散形成一次低浓度深结Al和二次高浓度浅结Al；所述半导体芯片（3）的两个PN结的边缘台面造型采用两面双负角台面造型，半导体芯片（3）阴阳极表面涂覆厚度为10μm∽50μm的金属导电层；所述管壳下封接件（1）与管壳上封接件（5）内形成密封腔体，该密封腔体内充有低于外部大气压的惰性气体；所述下钼圆片（2）中心设有定位孔，所述管壳下封接件（1）中心设有安装盲孔，定位孔内安装有定位柱。
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