[发明专利]利用无缓冲剂制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法

摘要

一种利用无缓冲剂制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法。一种薄膜太阳能电池及其形成方法。该太阳能电池包括底部电极层、光吸收半导体层、以及顶部电极层。该吸收剂层包括p-型内部区和在该层的周界周围由p-型内部区的改性本征区域形成的n-型外部区，从而形成作为吸收剂层固有部分的有源n-p结。该顶部电极层经由在限定侧壁的吸收剂层中形成的划线电连接于底部电极层。该吸收剂层的n-型外部区沿着吸收剂层的水平顶部延伸并在划线的垂直侧壁上延伸，以增加太阳能电池中的可用n-p结的面积，从而改善太阳光转化效率。

主权项

一种薄膜太阳能电池，包括：底部电极层，形成在衬底上；半导体吸收剂层，形成在所述底部电极层上，所述吸收剂层具有p‑型内部区和由所述p‑型内部区的改性本征部分形成的n‑型外部区，其中，n‑型区和p‑型区形成n‑p结，所述n‑p结是所述吸收剂层的固有部分；以及顶部电极层，形成在所述吸收剂层上，所述顶部电极层经由限定所述吸收剂层中的侧壁的划线电连接至所述底部电极层；其中，所述吸收剂层的所述n‑型外部区在所述划线中的侧壁上延伸。