[发明专利]一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201210448657.5 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102936147A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 欧阳海波;李翠艳;黄剑锋;费杰;曹丽云;卢靖 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/83 | 分类号： | C04B35/83;C04B35/565;C04B35/622;C04B38/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明所提供一种高比表面积的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。该方法是以自然界微/纳米多级结构为思路，从仿生材料设计的角度来构建一种新型的SiC/C多孔复合陶瓷，以碳纤维作为骨架，以SiC微球模拟生物体中的微突，以SiC纳米线模拟生物体中纳米绒毛，构建一个仿生的SiC/C多孔复合陶瓷，该方法所涉及的SiC/C多孔复合陶瓷具有高比表面积、易于成型、高强度的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面积 sic 多孔 复合 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：以碳纤维作为骨架，在碳纤维的骨架上沉积热解碳，然后在碳纤维表面沉积碳微球，得到多孔碳模板，接着，在多孔碳模板中引入纳米氧化物颗粒，最后以摩尔比为2:1~2:3的硅和二氧化硅混合粉末作为硅源，将多孔碳模板放置在硅和二氧化硅混合粉末上方进行烧结，即可。
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