[发明专利]GaN基LED芯片制备方法在审
| 申请号： | 201210448826.5 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103811602A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;齐胜利;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基LED芯片的制备方法，包括如下步骤：1）提供蓝宝石衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；2）在近所述蓝宝石衬底的所述第一表面的一预设高度处进行隐形切割，使第一表面沿切割线产生微裂纹；3） 在所述蓝宝石衬底的所述第一表面形成GaN半导体层；4）在所述GaN半导体层上形成透明导电层、N电极及P电极；5）从所述蓝宝石衬底的第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底；以及6）进行裂片。本发明解决了现有技术中存在的采用正面划片工艺时所发生的边缘效应的问题，以及采用内部隐形切割后无法裂开的问题，同时还能提升芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）提供蓝宝石衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；2）在近所述蓝宝石衬底的所述第一表面的一预设高度处进行隐形切割，使第一表面沿切割线产生微裂纹；3） 在所述蓝宝石衬底的所述第一表面形成GaN半导体层；4）在所述GaN半导体层上形成透明导电层、N电极及P电极；5）从所述蓝宝石衬底的第二表面所在的一侧减薄所述蓝宝石衬底；以及6）进行裂片。
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