[发明专利]一种引线忆阻器及其制备方法无效
申请号: | 201210448883.3 | 申请日: | 2012-11-10 |
公开(公告)号: | CN102931348A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 周济;蔡坤鹏;李勃;李龙土 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C13/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 薄观玖 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于半导体、电子元器件技术领域,特别涉及一种引线忆阻器及其制备方法。本发明两条引线分别与1个电极相连,两电极平行正对分布,并通过位于两电极之间的作为有效忆阻功能介质材料相连;所组成的引线忆阻器在电压或电流的加载下对外显示高低电阻状态转变,并且此种阻态转变具有对时间的记忆效应。通过将有效忆阻功能介质材料与电极制备成三明治结构,在三明治结构两端电极上设置引线,再包覆绝缘保护层并在结构空隙中填充绝缘材料得到完整引线忆阻器。本发明的制造方法简单,成本低,可获得一种能够用于电子电路、数字电子领域的新型无源电子元件,可提高现有数字电路的集成性和功能性,促进电子产品向更轻、更薄、功能更丰富的方向发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 引线 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种引线忆阻器,其特征在于:两条引线(1)分别与1个电极(2)相连,两电极(2)平行正对分布,并通过位于两电极(2)之间的作为有效忆阻功能介质材料(3)相连;所组成的引线忆阻器在电压或电流的加载下对外显示高低电阻状态转变,并且此种阻态转变具有对时间的记忆效应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210448883.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:天然橡胶初加工装置及其方法
- 下一篇:具有肋条的高尔夫球杆头及相关方法