[发明专利]一种深紫外氟化镁晶体生长方法无效
| 申请号： | 201210448959.2 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102925963A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王冬;胡卫东 | 申请（专利权）人： | 合肥嘉东科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 安徽省合肥经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种深紫外氟化镁晶体生长方法，它涉及单晶生长技术领域。它包括步骤为：将MgF2和ZnF2混合粉体和种晶放入铂坩埚；将铂坩埚放入单晶炉中，将单晶炉内通入氮气；采用开放式提拉法生长氟化镁单晶。本发明生长晶体完整性好，无气泡无包络物，晶体尺寸大，不易开裂，紫外波段透过率高，成品率高，工艺设备简单，能耗低，有利于实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 氟化 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种深紫外氟化镁晶体生长方法，包括以下步骤：将MgF2和ZnF2混合粉体和种晶放入铂坩埚；将铂坩埚放入单晶炉中，将单晶炉内通入氮气；采用开放式提拉法生长氟化镁单晶。
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