[发明专利]发光二极管制造方法及发光二极管有效
| 申请号： | 201210449845.X | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811612A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂的GaN层，所述未掺杂的GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；在未掺杂的GaN层表面成长布拉格反射层直至覆盖凸出部的顶部区域；对布拉格反射层以及未掺杂的GaN层进行蚀刻直至露出凸出部的顶部区域；以及在凸出部的顶部区域以及布拉格反射层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型氮化镓层。所述布拉格反射层可阻挡未掺杂的GaN层中的缺陷向上延伸，从而降低发光二极管的晶体缺陷。同时，布拉格反射层的高反射率特性也可以提高元件的出光效率。本发明还提供了一种由上述方法所制造的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂的GaN层，所述未掺杂的GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；在未掺杂的GaN层表面成长布拉格反射层直至覆盖凸出部的顶部区域；对布拉格反射层以及未掺杂的GaN层进行蚀刻直至露出凸出部的顶部区域；以及在凸出部的顶部区域以及布拉格反射层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
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