[发明专利]发光二极管制造方法及发光二极管有效

专利信息
申请号: 201210449845.X 申请日: 2012-11-12
公开(公告)号: CN103811612A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种发光二极管的制造方法,包括以下的步骤:提供一个蓝宝石基板,蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部;在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂的GaN层,所述未掺杂的GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域;在未掺杂的GaN层表面成长布拉格反射层直至覆盖凸出部的顶部区域;对布拉格反射层以及未掺杂的GaN层进行蚀刻直至露出凸出部的顶部区域;以及在凸出部的顶部区域以及布拉格反射层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型氮化镓层。所述布拉格反射层可阻挡未掺杂的GaN层中的缺陷向上延伸,从而降低发光二极管的晶体缺陷。同时,布拉格反射层的高反射率特性也可以提高元件的出光效率。本发明还提供了一种由上述方法所制造的发光二极管。
搜索关键词: 发光二极管 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管的制造方法,包括以下的步骤:提供一个蓝宝石基板,蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部;在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂的GaN层,所述未掺杂的GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域;在未掺杂的GaN层表面成长布拉格反射层直至覆盖凸出部的顶部区域;对布拉格反射层以及未掺杂的GaN层进行蚀刻直至露出凸出部的顶部区域;以及在凸出部的顶部区域以及布拉格反射层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
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