[发明专利]液量控制方法和液量控制装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质无效
申请号: | 201210450572.0 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN103103507A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 河崎睦夫;吾乡富士夫 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | C23C18/31 | 分类号: | C23C18/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供液量控制方法和液量控制装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质。其中,抑制水分从镀液蒸发带来的镀液的浓度和各种成分的状态变化,实现镀覆率和镀覆膜厚的稳定化。该装置具有如下:控制处于镀覆处理槽(2)内的处理液的液面上方的气体中的镀覆处理液的蒸气压的、作为蒸气压控制机构的超声波式加湿机(9);按照使镀覆处理液的液面位置位于规定位置的方式控制作为蒸气压控制机构的超声波式加湿机(9),且调节处理液量的电装控制单元(11)。 | ||
搜索关键词: | 控制 方法 装置 半导体 集成电路 制造 控制程序 可读 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种液量控制方法,其对以内部可密封的方式所构成的处理槽内的处理液的液量进行控制,其中,所述液量控制方法具有液量控制工序,即,液量控制机构通过蒸气压控制机构将处于该处理槽内的处理液的液面上方的气体中的该处理液的蒸气压以该处理液的液面位置位于规定位置的方式进行控制,从而调节处理液量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210450572.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:辊道用变频电机
- 下一篇:一种采用模块化多电平换流器结构的可转换式静止补偿器
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理