[发明专利]找到通孔弱连接的方法有效
| 申请号： | 201210450799.5 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811410B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 马香柏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种找到通孔弱连接的方法，包括：步骤1、若弱连接发生在第N层通孔底部，则从芯片背面开始研磨直至第N层metal，然后从芯片正面研磨，一直到研磨掉第N+1层metal，并暴露出第N层通孔；若弱连接发生在第N层通孔顶部，则从芯片正面开始研磨直至第N+1层metal，然后从芯片背面开始研磨，一直到研磨掉第N层metal，并暴露出第N层通孔；若弱连接发生在第N层通孔中部，则任意采用上述一种操作。步骤2、对处理过的芯片采用电流原子力显微镜，捕捉整个芯片正面的电流像，然后通过后续聚焦离子束以及投射电子显微镜，获得弱连接失效的真正机理。本发明能在不破坏弱连接形貌的情况下，找到无论发生在通孔底部、中部、顶部的弱连接的真正机理。 | ||
| 搜索关键词： | 找到 通孔弱 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种找到通孔弱连接的方法，其特征在于，包括：步骤1、若弱连接发生在第N层通孔底部，则从芯片背面开始研磨直至第N层metal，然后从芯片正面研磨，一直到研磨掉第N+1层metal，并暴露出第N层通孔；若弱连接发生在第N层通孔顶部，则从芯片正面开始研磨直至第N+1层metal，然后从芯片背面开始研磨，一直到研磨掉第N层metal，并暴露出第N层通孔；若弱连接发生在第N层通孔中部，则任意采用上述一种操作；步骤2、对处理过的芯片采用电流原子力显微镜，捕捉整个芯片正面的电流像，然后通过后续聚焦离子束以及投射电子显微镜，获得弱连接失效的真正机理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
