[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210451050.2 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811321B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8234;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。该方法包括在半导体衬底中形成具有第一栅长的第一MOSFET；以及在半导体衬底中形成具有第二栅长的第二MOSFET，其中第二栅长小于第一栅长，其中，第二MOSFET具有侧墙形式的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体衬底隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成具有第一栅长的第一MOSFET；以及在半导体衬底中形成具有第二栅长的第二MOSFET，其中第二栅长小于第一栅长，其中，第二MOSFET具有侧墙形式的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体衬底隔开，其中形成第二MOSFET包括：以掩蔽层作为掩模形成第二MOSFET的源区和漏区之一；以牺牲侧墙作为掩模形成第二MOSFET的源区和漏区中另一个；以及采用栅堆叠替代牺牲侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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