[发明专利]一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液

摘要

本发明提供了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有氟化物，有机溶剂，水，氧化剂以及螯合剂。本发明所公开的去除光阻蚀刻残留物的清洗液不含有任何无机或有机纳米或微米颗粒。该清洗液在去除晶圆上的光阻残留物同时，对于基材如金属铝，非金属二氧化硅等基本无腐蚀，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

主权项

1.一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述清洗液由氟化物、有机溶剂、水、氧化剂以及螯合剂组成，其中所述氧化剂选自双氧水、过硫酸、过硫酸铵、过氧乙酸、过氧乙酸铵中的一种或多种，所述有机溶剂的含量为10-75wt％，所述氧化剂的含量为0.5-5wt％，所述的氟化物选自氟化铵、氟化氢铵中的一种或多种；清洗温度为20℃-50℃；所述的螯合剂选自有机多胺、有机多元酸中的一种或多种；所述有机多胺选自二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺和多乙烯多胺中的一种或多种；所述有机多元酸选自乙二酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸、富马酸、马来酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、反-1,2-环己二胺四乙酸中的一种或多种；所述螯合剂的含量为0.05-20wt％。/n