[发明专利]一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法有效
| 申请号： | 201210452085.8 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103809240A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 袁苑;罗啸;吴智勇;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法，包括如下步骤：1.1在光刻版上画出光纤对准基座所需要的通孔阵列和尺寸；1.2使用光刻胶将光刻版上通孔阵列和尺寸在硅晶圆片上定义出来；1.3使用干法刻蚀机台刻蚀出光纤对准基座阵列的通孔；1.4使用去胶机台去除残留的光刻胶；1.5去除干法刻蚀过程中产生的刻蚀反应聚合物。本发明利用硅基半导体制造工艺具有生产精度高，体积小，产量高，工艺成熟，监控严格的优点，制造出经济且高精度的可批量生产的光纤对准基座。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工艺 制作 光纤 对准 基座 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：1.1在光刻版上画出光纤对准基座所需要的通孔阵列和尺寸；1.2使用光刻胶将光刻版上通孔阵列和尺寸在硅晶圆片上定义出来；1.3使用干法刻蚀机台刻蚀出光纤对准基座阵列的通孔；1.4使用去胶机台去除残留的光刻胶；1.5去除干法刻蚀过程中产生的刻蚀反应聚合物。
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