[发明专利]高亮度发光二极管及制备方法在审
| 申请号： | 201210452575.8 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811607A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 丁国建;陈弘;贾海强;王晓晖;宋京;张荣勤;罗惠英 | 申请（专利权）人： | 天津中环新光科技有限公司;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 高凤荣 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种高亮度发光二极管及制备方法，设有砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, p型限制层，作为永久衬底层的p型窗口层，通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。其中，n型限制层的底面上还设有高反射率金属反射层；在金属反射层的底面上设有n型电极，并形成一芯片；经切割后的芯片成为发光二极管（LED）所需的芯片。本发明采用直接外延生长一层磷化镓（GaP）做为发光窗口层和永久衬底层的方式，用以取代现有金属反射器工艺中二次衬底贴附（bonding）的步骤，不仅大大增加了光的提取效率、简化了制作工艺，而且，还提高了发光二极管制作工艺的稳定性和产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高亮度发光二极管，设有砷化镓（GaAs）衬底，其特征在于：砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, p型限制层，作为永久衬底层的p型窗口层，通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。
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