[发明专利]一种磁场触发荧光灯的方法及运用此方法的荧光灯有效
| 申请号： | 201210452638.X | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103458592A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张伯文;胡斌 | 申请（专利权）人： | 武汉和光照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H05B41/10 | 分类号： | H05B41/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁场触发荧光灯的方法，具体步骤为：电流通过驱动模块产生高频交流，生成高频正弦波，该强能量场为E1；交流整形模块将高频正弦波转换成线性波形，此时输入的强能量场E1成低位能量场为E2；正位场能中两种波形能量相切割，在光媒的引导下，产生一种漫磁能映射区，该映射区中的漫磁能为E0；E0在光媒的指引下，形成等电位的中轴输出，漫磁能区E0放射电子触发荧光灯。本方法采用虚拟磁能达到触发效应，避免了灯丝阴极的氧化，提高荧光灯的使用寿命。本发明还提供一种荧光灯，运用本发明的磁场触发荧光灯的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 触发 荧光灯 方法 运用 | ||
【主权项】：
一种磁场触发荧光灯的方法，其特征在于，具体步骤为：电流通过驱动模块产生高频交流，生成高频正弦波，该强能量场为E1；交流整形模块将高频正弦波转换成线性波形，此时输入的强能量场E1成低位能量场为E2；正位场能中两种波形能量相切割，在光媒的引导下，产生一种漫磁能映射区，该映射区中的漫磁能为E0；E0在光媒的指引下，形成等电位的中轴输出，并根据E1的周期序列作为反射，进行正半周期校正，公式为：T=L*n/2（E1/m），漫磁能区E0放射电子触发荧光灯。
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