[发明专利]一种阵列式激光器无效
申请号: | 201210453447.5 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN103812006A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 耿振民 | 申请(专利权)人: | 无锡华御信息技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/40 | 分类号: | H01S5/40;H01S5/42 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 陈丽燕 |
地址: | 214081 江苏省无锡市滨*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种阵式激光器,包括激光器外延片n面结构区、p面结构区、有源区、二维光子晶体分布区、p面电流注入区、n面电极、p面电极,二维光子晶体分布区是由半导体材料上的孔型光子晶体结构构成,该光子晶体结构作为线阵式激光器的模式选择区和横向光的隔离区;其特征在于:所述孔中采用具有绝缘性质液体材料填充,所述液体材料的折射率与形成所述光子晶体的材料的折射率差在0.5-1.6之间;二维光子晶体区孔洞刻蚀深度为0.9-1.1.1微米;输出波长范围在0.8微米至2.0微米范围内;二维光子晶体结构分布区的宽度为d1,电流注入区的宽度为d2,d2/d1为2-8。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 激光器 | ||
【主权项】:
一种阵式激光器,包括激光器外延片n面结构区、p面结构区、有源区、二维光子晶体分布区、p面电流注入区、n面电极、p面电极,二维光子晶体分布区是由半导体材料上的孔型光子晶体结构构成,该光子晶体结构作为线阵式激光器的模式选择区和横向光的隔离区;其特征在于:所述孔中采用具有绝缘性质液体材料填充,所述液体材料的折射率与形成所述光子晶体的材料的折射率差在0.5‑1.6之间;二维光子晶体区孔洞刻蚀深度为0.9‑1.1.1微米;输出波长范围在0.8微米至2.0微米范围内;二维光子晶体结构分布区的宽度为d1,电流注入区的宽度为d2,d2/d1为2‑8。
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