[发明专利]一种钨插塞与金属布线的制作方法在审
| 申请号： | 201210454044.2 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811412A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王者伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种钨插塞和金属布线的制作方法，该制作方法通过在对光刻胶进行干法去胶工艺之后，使用水蒸气烘烤，以释放干法去胶工艺中积累在金属层和接触孔中的电荷，以此降低湿法去胶时，钨在酸液环境下引发的原电池反应，从而使得接触孔中钨插塞得以保留。因此大大提高了半导体器件的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钨插塞 金属 布线 制作方法 | ||
【主权项】：
一种钨插塞与金属布线的制作方法，包括步骤：钨插塞制作工艺、金属布线制作工艺以及光刻胶去除工艺，所述钨插塞制作工艺是在半导体衬底上制作接触孔并填充形成钨插塞，所述金属布线制作工艺将所述接触孔通过金属布线覆盖，使得位于接触孔下方的半导体衬底与位于接触孔上方的该金属布线通过钨插塞相连接，所述光刻胶去除工艺是将残余在金属布线上的光刻胶去除，其特征在于：所述去除光刻胶工艺包括步骤：干法去胶，利用等离子体对光刻胶进行轰击；水蒸气烘烤，将上述干法去胶过程中积累在金属布线和接触孔中的电荷进行释放；湿法去胶，利用清洗液去除剩余光刻胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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