[发明专利]带隙基准源的启动电路有效

专利信息
申请号: 201210454455.1 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN103809648A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 唐成伟 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种带隙基准源的启动电路,包括由两个PMOS管组成的对称的差分对管,两个PMOS管的源极连接在一起并和第一电流源连接;第三PMOS管的源极连接第一PMOS管的漏极,第三PMOS管的漏极接地,第三PMOS管的栅极连接第二PMOS管的漏极。本发明通过对称的差分对管的设置,并通过一对由带隙基准源的主体电路提供的控制信号,能够在带隙基准源的主体电路正常工作时,能使第一电流源的电流泄放到地而不会进入到带隙基准源的主体电路中;当带隙基准源的主体电路未启动时,能使第一电流源的电流进入到带隙基准源的主体电路中进行启动而不再泄放到地,最后能够提高带隙基准源的精度。
搜索关键词: 基准 启动 电路
【主权项】:
一种带隙基准源的启动电路,其特征在于,启动电路包括:由第一PMOS管和第二PMOS管组成的对称的差分对管,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极连接在一起并和第一电流源连接;第三PMOS管,所述第三PMOS管的源极连接所述第一PMOS管的漏极,所述第三PMOS管的漏极接地,所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极;第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的栅极,所述第一NMOS管的漏极连接电源;连接成二极管的第一PNP三极管,所述第一PNP三极管的发射极连接所述第二NMOS管的源极,所述第一PNP三极管的基极和集电极都接地;第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极和漏极都连接所述第一NMOS管的源极;所述第三NMOS管的源极和带隙基准源相连并通过所述第三NMOS管的源极为所述带隙基准源的主体电路提供启动电压;所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极接入一对由所述带隙基准源的主体电路提供的控制信号,当所述带隙基准源的主体电路正常工作时,所述第二PMOS管的栅极电压大于所述第一PMOS管的栅极电压,所述第一电流源的电流通过所述第一PMOS管和所述第三PMOS管泄放到地,所述第二PMOS管截止;当所述带隙基准源的主体电路未启动时,所述第二PMOS管的栅极电压等于所述第一PMOS管的栅极电压,所述第三PMOS管截止,所述第一电流源的电流通过所述第二PMOS管流入到所述启动电路中。
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