[发明专利]离子注入方法及离子注入机有效
| 申请号： | 201210454761.5 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102943245A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 崔保群;曹耀辉;李志军;路瑞亮 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 066001 河北省秦*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明针对采用现有离子注入机及离子注入方法进行离子注入，工艺复杂、设备造价高的不足，提供一种离子注入方法和离子注入机，该方法由离子源产生无金属杂质的离子束，由引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子；该离子注入机由RF电源驱动，天线设置在放电室顶部外，放电室由石英制成，离子束经由引出缝引出，引出系统中离子束经过的通道，由硅材料制成或镶嵌硅材料制成的部件；靶片能在靶室内在垂直于所述的引出缝的长度方向上移动，天线沿着引出缝的长度方向设置，采用本方法和注入机，无需对引出离子束进行分析和整形，使离子注入机的价格降低了50％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入机，包括离子源系统(1)、真空系统(4)、引出系统(2)和设置有靶片(19)的靶室(18)，所述真空系统(4)为所述的离子源系统(1)、所述的引出系统(2)及靶室(18)提供真空条件，其特征在于：所述的离子源系统(1)包括放电室(12)和天线(11)，由RF电源驱动，天线(11)设置在所述放电室(12)顶部外，所述的放电室由石英制成；所述引出系统(2)包括引出缝(13)和引出电极，离子源产生的离子束经由所述的引出缝(13)引出后，由引出电极引入所述的靶室(18)，所述的引出系统中离子束经过的通道，由硅材料制成或镶嵌硅材料制成的部件；所述靶片(9)能在所述靶室(18)内在垂直于所述的引出缝(13)的长度方向上移动，所述天线(11)沿着所述引出缝(13)的长度方向设置。
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