[发明专利]一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺

摘要

本发明公开一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于包括以下步骤：将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管；通入氮气、氧气、氮气携带三氯氧磷气体；升高炉管温度；保持一定的温度，通入氧气；通入氮气，降温，即制得扩散结。本发明方法增加了硅片扩散层表面扩散浓度，降低了硅片与浆料的接触电阻，减少电池片烧结不良比例。

主权项

一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于它包括以下步骤：(1)将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管，炉管温度在10min内加热至750‑810℃，同时通入氮气流量5‑8slm，持续3min；(2)通入氮气流量3‑7slm，氧气流量400‑600sccm，氮气携带三氯氧磷气体流量1300‑1700sccm,持续10‑16min；(3)以5℃每分钟的速率升高炉管温度至840‑850℃，同时通入氮气流量为10‑15slm；(4)保持温度在820‑850℃，通入氧气流量为3‑5slm，持续10‑16min；(5)通入氮气流量为15‑20slm，降温至780℃，即制得扩散结。