[发明专利]一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜在审
申请号: | 201210455094.2 | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN102931242A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 侯泽荣;黄仑;卢春晖;王金伟;徐建 | 申请(专利权)人: | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 夏平 |
地址: | 214203 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜,其特征是,包括沉积在硅基衬底表面的折射率为2.2-2.3的致密层二氧化硅薄膜,沉积在致密层二氧化硅薄膜上的折射率为2-2.1的中间层二氧化硅薄膜,沉积在中间层二氧化硅薄膜上的折射率为1.9-2的稀疏层二氧化硅薄膜所述的各层氧化硅薄膜的折射率从下往上依次减小,且顶层折射率小于2。与现有技术相比,本发明在硅片衬底上沉积三层反射率和厚度均不同的二氧化硅膜,提高了电池片的体钝化效果,降低了减反射膜对光的反射率,从而提高太阳能电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 多层 二氧化硅 减反射膜 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池多层二氧化硅减反射膜,其特征是,包括沉积在硅基衬底(1)上的至少三层二氧化硅薄膜,所述的各层氧化硅薄膜的折射率从下往上依次减小,且顶层折射率小于2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的