[发明专利]一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法

摘要

本发明公开一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，其是由三层膜构成，第一次膜为硅片表面的二氧化硅薄膜，折射率为1.46-1.47、厚度为15-19nm；第二层为二氧化钛薄膜，折射率为1.86-2.23、厚度为30-50nm；第三层为氮化硅薄膜，折射率为2.18-2.45、厚度为40-80nm。本发明第一层二氧化硅膜采用热氧化法制备，第二层二氧化钛膜采用旋转涂覆法制备，第三层氮化硅膜采用等离子体增强化学气相沉积方法制备，本发明采用三层减反射膜，降低了电池表面对光的反射，提高了太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法，包括如下步骤：按照电池常规工序处理方法，对硅片进行硅片清洗制绒、扩散制备PN结、刻蚀去除硅片四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃，其特征在于，然后包括以下步骤：(1)采用热氧化方法在硅片衬底的表面生长一层二氧化硅薄膜，薄膜的折射率为1.46‑1.47、厚度为15‑19nm；(2)在二氧化硅薄膜表面涂覆碱性纳米二氧化钛水溶胶，形成折射率为1.86‑2.23、厚度为30‑50nm的二氧化钛薄膜；(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在二氧化钛薄膜上沉积一层折射率为2.18‑2.45、厚度为40‑80nm的氮化硅薄膜。