[发明专利]一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法有效
| 申请号： | 201210456034.2 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102969104A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张建荣;方曙光;刘瑜 | 申请（专利权）人： | 宁波祈禧电器有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/14 | 分类号： | H01C17/14;C23C16/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，属于电子陶瓷领域，将锡化合物及其他掺杂体化合物溶解于低沸点溶剂中形成均匀稳定的溶液，将该溶液置于带有加热装置的容器中，该容器上部开有三个口子，其中一个用于氧气的输入，一个用于水蒸气的输入，一个用于整个体系气态混合物的输出；将上述气态混合物以管道输送到一置于加热盘上的喷嘴上，置于加热盘上的玻璃、陶瓷等基体表面受到上述气态混合物的作用，形成二氧化锡薄膜，该薄膜的电阻值可实现按指定要求调整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 电阻 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法，其特征在于：包括锡化合物及掺杂体化合物在低沸点溶剂中的溶解、对混合物溶液体系的加热气化、气化产物与水蒸气、氧气等的混合气相产物的输送、玻璃陶瓷表面的二氧化锡薄膜的沉积。
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