[发明专利]具有异质材料结构的发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210458130.0 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103811614B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 金相默;白宗协 | 申请（专利权）人： | 韩国光技术院 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金光军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具有异质材料结构的发光元件及其制造方法。本发明的具有异质材料结构的发光元件包含：基板；形成在基板上的n型半导体层；形成在n型半导体层上的活性层；形成在活性层上的p型半导体层；形成在p型半导体层上的透明电极层；形成在透明电极层上的第一电极；以及形成在透明电极层、p型半导体层和活性层被蚀刻而露出n型半导体层的区域的第二电极，其中基板包含由具有互不相同的折射率的至少两种材料构成的突出部。本发明制造具有异质材料结构的发光元件，由此减小半导体发光元件的缺陷并增大发光层的面积，且通过增加光的散射而具有提高发光元件的亮度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 材料 结构 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有异质材料结构的发光元件，其特征在于：该发光元件包含：基板；形成在所述基板上的n型半导体层；形成在所述n型半导体层上的活性层；形成在所述活性层上的p型半导体层；形成在所述p型半导体层上的透明电极层；形成在所述透明电极层上的第一电极；以及形成在所述透明电极层、p型半导体层和活性层被蚀刻而露出n型半导体层的区域的第二电极，其中在所述基板、p型半导体层和n型半导体层中的至少一个形成由具有互不相同的折射率的异质材料构成的突出部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国光技术院，未经韩国光技术院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210458130.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
