[发明专利]缩短擦除操作的方法与装置有效
| 申请号： | 201210458407.X | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103310839A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;张坤龙;陈耕晖;郭乃萍;张钦鸿;陈张庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有不同持续时间的多阶段擦除程序的非易失存储阵列，此阵列中的一存储单元区块可以由这些不同的多阶段擦除程序之一加以擦除。本发明还公开了一种擦除非易失存储阵列中存储单元的方法，该方法包括：接收一擦除命令辨识该非易失存储阵列中的一存储单元区块；以及响应该擦除命令，执行一多阶段擦除程序。 | ||
| 搜索关键词： | 缩短 擦除 操作 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包含：一非易失存储阵列，具有多个存储单元；控制电路执行一多阶段擦除程序，该多阶段擦除程序包括一擦除阶段及一个或多个其他阶段，该一个或多个其他阶段包括一预编程阶段及一软编程阶段，该多阶段擦除程序具有通过一特定模式决定的特性，该特定模式是第一擦除模式及第二擦除模式的其中之一，于该非易失存储阵列的一存储单元区块执行该多阶段擦除程序时，该第一擦除模式较第二擦除模式具有较短的平均持续时间。
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