[发明专利]干法刻蚀均匀性优化装置及方法有效
| 申请号： | 201210458930.2 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102945784A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 范昭奇;段献学;周伯柱;王一军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种干法刻蚀均匀性优化装置及方法，涉及刻蚀技术领域，解决了现有技术在基片批量刻蚀前需要生成大量测试图形，导致刻蚀成本高的问题。该干法刻蚀均匀性优化的装置包括：反应室，设置于反应室中的上电极板和下电极板，该装置还包括：等离子体密度检测装置，设置于反应室的中心和边缘处，用于检测反应室的中心和边缘处的等离子体密度；控制装置，用于获取等离子体密度检测装置检测的反应室中心和边缘处的等离子体的密度，并在中心处的等离子体密度不等于边缘处的等离子体密度时，直接调整反应室的参数，以使中心处的等离子体密度等于边缘处的等离子体密度。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 均匀 优化 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种干法刻蚀均匀性优化的装置，包括反应室，设置于所述反应室中的上电极板和下电极板，其特征在于，还包括：等离子体密度检测装置，设置于所述反应室的中心和边缘处，用于检测所述反应室的中心和边缘处的等离子体密度；控制装置，用于获取所述等离子体密度检测装置检测的所述反应室中心和边缘处的等离子体的密度，并在所述中心处的等离子体密度不等于所述边缘处的等离子体密度时，直接调整所述反应室的参数，以使所述中心处的等离子体密度等于所述边缘处的等离子体密度。
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