[发明专利]刻蚀装置和方法有效
| 申请号： | 201210459115.8 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103107113A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 奥立佛·J·安塞尔 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01J37/32;H01J37/244 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;徐川 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种刻蚀整个宽度的衬底以暴露出被掩埋的特征部的方法。所述方法包括：横跨衬底的宽度刻蚀衬底的面，以实现材料的基本均匀的移除；在刻蚀工艺期间照亮被刻蚀的面；将边缘检测技术应用于自所述面散射或反射的光，以检测被掩埋的特征部的出现；以及响应于被掩埋的特征部的检测来调整所述刻蚀。本申请还公开了一种用于在衬底的宽度上刻蚀衬底以暴露被掩埋的特征部的刻蚀装置。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀整个宽度的衬底以暴露出被掩埋的特征部的方法，所述方法包括：(a)横跨衬底的宽度刻蚀所述衬底的面，以实现材料的基本均匀的移除；(b)在刻蚀工艺期间照亮被刻蚀的面；(c)将边缘检测技术应用于自所述面散射或反射的光，以检测被掩埋的特征部的出现；以及(d)响应于被掩埋的特征部的检测来调整所述刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SPTS科技有限公司，未经SPTS科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210459115.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：触摸屏终端的应用程序切换方法和装置
- 下一篇：压敏胶粘片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
