[发明专利]光电转换装置及其制造方法

摘要

本发明涉及光电转换装置及其制造方法。在叠层型光电转换装置中，为了在上层单元元件和下层单元元件之间形成金属薄膜或硅化物膜等，需要增加形成该薄膜的工序。因此，有使光电转换装置的生产性降低等的问题。本发明的要旨在于一种光电转换装置，其至少具有将厚度为10μm以下的单晶半导体层包含于光电转换层的第一单元元件以及将设置在该第一单元元件上的非单晶半导体层包含于光电转换层的第二单元元件，并且在该单元元件之间分散金属簇。因为导电簇存在于下层单元元件和上层单元元件之间且形成欧姆接触，所以欧姆电流在两个单元元件之间流过。

主权项

一种光电转换装置，包括：在支撑衬底上形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的第一电极；在所述第一电极上形成的第一杂质半导体层；在所述第一杂质半导体层上形成的单晶半导体层；在所述单晶半导体层上形成的非晶半导体层；在所述非晶半导体层上形成的第二杂质半导体层；以及在所述第二杂质半导体层上形成的第二电极。