[发明专利]一种快速生长掺杂Bi4Ge3O12(BGO)晶体的技术方法无效
| 申请号： | 201210459702.7 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102995107A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 俞平胜 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | C30B13/22 | 分类号： | C30B13/22;C30B13/08;C30B29/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224051 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种快速生长掺杂Bi4Ge3O12(BGO)晶体的技术方法，属于人工晶体材料领域。所用的生长方法为光浮区法，首先要制作原料棒，生长时籽晶与料棒之间形成一熔区，使熔区自下而上移动，完成单晶生长。因Al、Mg、Ca等掺杂的Bi4Ge3O12(BGO)熔体粘度小，熔区容易坍塌，故需要以较快的速度生长，同时还需要送棒，并且要在惰性气氛下生长。上述掺杂晶体生长技术与工艺的主要特征为：其生长气氛可以是氩气、氮气等；其保护气流量为0.4～0.6L/min；其生长速度范围为10.00～13.00mm/h；其送棒速度范围为1.00～2.50mm/h。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 生长 掺杂 bi sub ge 12 bgo 晶体 技术 方法 | ||
【主权项】：
一种快速生长掺杂Bi4Ge3O12(BGO)晶体的技术方法，其特征在于应用光浮区法在惰性气氛下生长掺杂BGO晶体。
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