[发明专利]掩模版组件、光刻设备、在光刻过程中的应用及投影两个或更多个像场的方法有效
| 申请号： | 201210459981.7 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103135360A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | P·范德维恩 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王静 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用于光刻过程中的掩模版组件，在光刻过程中第一像场和第二像场被投影到衬底上的第一目标部分和第二目标部分上，掩模版组件布置成保持具有第一像场的第一掩模版和具有第二像场的第二掩模版，使得第一像场和第二像场之间的距离对应第一目标部分和第二目标部分之间的距离。本发明的多个方面还涉及包括掩模版组件的光刻设备，具有第一像场的第一掩模版和具有第二像场的第二掩模版的掩模板组件在光刻过程中的应用，在该光刻过程中将第一像场和第二像场投影到衬底上的第一目标部分和第二目标部分上，其中第一和第二像场之间的距离对应第一和第二目标部分之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 组件 光刻 设备 过程 中的 应用 投影 两个 更多 个像场 方法 | ||
【主权项】：
一种用于光刻过程中的掩模版组件，在光刻过程中第一像场和第二像场被投影到衬底上的第一目标部分和第二目标部分上，掩模版组件布置成保持具有第一像场的第一掩模版和具有第二像场的第二掩模版，使得第一像场和第二像场之间的距离对应第一目标部分和第二目标部分之间的距离。
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