[发明专利]一种差分延迟单元电路及环形振荡器在审
申请号: | 201210460445.9 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103812503A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 梁仁光;胡胜发 | 申请(专利权)人: | 安凯(广州)微电子技术有限公司 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 510663 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种差分延迟单元电路及环形振荡器,包括第一NMOS管与第二NMOS管形成差分对管,其栅极分别接正输入节点和负输入节点,漏极分别接负输出节点和正输出节点,源级都接地,交叉耦合的第一PMOS管和第二PMOS管的漏极分别接负输出节点和正输出节点,栅极分别接正输出节点和负输出节点,源级都接电源,第三PMOS管的漏极分别与负输出节点以及栅极连接,源级与第五PMOS管的漏极连接,第四PMOS管的漏极分别与正输出节点以及栅极连接,源级与第五PMOS管的漏极连接,第五PMOS管的源级与电源连接,栅极与控制电压连接。在本发明中,电路结构简单,便于集成,不需要额外的偏置电压。 | ||
搜索关键词: | 种差 延迟 单元 电路 环形 振荡器 | ||
【主权项】:
种差分延迟单元电路,其特征在于,所述差分延迟单元电路包括:第一PMOS管Mp1、第二PMOS管Mp2、第三PMOS管Mp3、第四PMOS管Mp4、第五PMOS管Mp5、第一NMOS管Mn1、第二NMOS管Mn2;所述第一NMOS管Mn1与第二NMOS管Mn2形成差分对管,所述第一NMOS管Mn1与正输入节点(IN+)连接,所述第二NMOS管Mn2的栅极与负输入节点(IN‑)连接,所述正输入节点(IN+)与负输入节点(IN‑)的输入为差分输入,所述第一NMOS管Mn1的漏极与负输出节点(OUT‑)连接,所述第二NMOS管Mn2的漏极与正输出节点(OUT+)连接,所述正输出节点(OUT+)与负输出节点(OUT‑)的输出为差分输出,所述第一PMOS管Mp1和第二PMOS管Mp2交叉耦合,所述第一NMOS管Mn1与第二NMOS管Mn2的源级都接地,所述第一PMOS管Mp1的漏极与负输出节点(OUT‑)连接,所述第二PMOS管Mp2的漏极与正输出节点(OUT+)连接,所述第一PMOS管Mp1的栅极与正输出节点(OUT+)连接,第二PMOS管Mp2的栅极与负输出节点(OUT‑)连接,所述第一PMOS管Mp1和第二PMOS管Mp2的源级都接电源(VDD),所述第三PMOS管Mp3的漏极分别与负输出节点(OUT‑)以及所述第三PMOS管Mp3的栅极连接,所述第三PMOS管Mp3的源级与所述第五PMOS管Mp5的漏极连接,所述第四PMOS管Mp4的漏极分别与正输出节点(OUT+)以及所述第四PMOS管Mp4的栅极连接,所述第四PMOS管Mp4的源级与所述第五PMOS管Mp5的漏极连接,所述第五PMOS管Mp5的源级与电源VDD连接,所述第五PMOS管Mp5的栅极与控制电压(Vctrl)连接。
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