[发明专利]锗硅HBT晶体管及其版图结构和其制造方法有效
| 申请号： | 201210460981.9 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103811540A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;张强;金锋;苗彬彬 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅HBT晶体管，包括：位于硅衬底上的隔离区，位于隔离区之间的N型注入区，位于隔离区下侧N型注入区两侧的N型重掺杂区，位于隔离区底侧与N型注入区和N型重掺杂区相接的P型浅埋层，位于隔离区和N型注入区上方的锗硅区，位于锗硅区上方的氧化隔离物，位于氧化隔离物和锗硅区上方的多晶硅层，侧墙位于锗硅区和多晶硅层的两侧，N型重掺杂区通过深通孔引出形成集电极，锗硅区、多晶硅层通过接触孔引出形成发射机、基极；其中，多晶硅层的面积小于锗硅区的面积。本发明还公开了所述锗硅HBT晶体管的版图结构和制造方法。本发明的锗硅HBT晶体管在不改变集电区的厚度和掺杂浓度前提下，能提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 hbt 晶体管 及其 版图 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅HBT晶体管，包括：位于硅衬底（101）上的隔离区（301），位于隔离区(301)之间的N型注入区（202），位于隔离区(301)下侧N型注入区（202）两侧的N型重掺杂区（201），位于隔离区(301)底侧与N型注入区（202）和N型重掺杂区（201）相接的P型浅埋层（203），位于隔离区(301)和N型注入区（202）上方的锗硅区（402），位于锗硅区（402）上方的氧化隔离物（503），位于氧化隔离物（503）和锗硅区（402）上方的多晶硅层（502），侧墙（401、501）位于锗硅区（402）和多晶硅层（502）的两侧，N型重掺杂区（201）通过深通孔（602）引出形成集电极，锗硅区（402）、多晶硅层（502）通过接触孔（601）引出形成发射机、基极；其特征是：多晶硅层（502）的面积小于锗硅区（402）的面积。
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