[发明专利]非易失存储器的擦除方法及系统有效
| 申请号： | 201210461282.6 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103811068B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;丁冲;张现聚 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失存储器的擦除方法，包括以下步骤接收对被选中的存储单元进行擦除操作的指令；判断存储器中所有存储单元的阈值电压是否小于目标阈值电压，若是，则进行下一步骤，反之，则对所述存储单元进行预编程操作，所述所有存储单元包括存储中被选中的存储单元和未被选中的存储单元；对所述存储单元进行修复操作，并重复前一步骤。本发明还提供了一种实现前述方法的非易失存储器的擦除一通。本发明的非易失存储器的擦除方法及系统，能够对存储器中所有的存储单元进行过擦除验证，避免擦除操作时因为存在过擦除存储单元而造成漏电流的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 擦除 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，包括以下步骤：接收对被选中的存储单元进行擦除操作的指令；判断存储器中所有存储单元的阈值电压是否小于目标阈值电压，若是，则进行下一步骤，反之，则对所述被选中的存储单元进行预编程操作，所述所有存储单元包括存储中被选中的存储单元和未被选中的存储单元；所述目标阈值电压的取值为：正常擦除状态下阈值电压范围的最小值；对所述未被选中的存储单元进行修复操作，并重复前一步骤；所述修复操作为对所述未被选中的存储单元进行编程操作，所述编程操作中的编程电压根据所述未被选中的存储单元当前的阈值电压和正常阈值电压确定。
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