[发明专利]一种NANDFlash存储器、NANDFlash存储器实现方法及其系统

摘要

本发明公开了一种NAND Flash存储器、NAND Flash存储器实现方法及其系统，所述NAND Flash存储器包括寄存器、比较器、地址译码器和存储阵列，可实现第一次使用时预先在所述寄存器中存储所述NAND Flash存储器的存储模式和配置信息，将存储模式配置成包括部分SLC模式部分MLC模式、部分SLC模式部分TLC模式、部分MLC模式部分TLC模式、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式中的一种模式，其中配置信息包括存储块的地址和存储块的类型，其中所述存储块类型为SLC类型、MLC类型或TLC类型。本发明能实现对各存储块的灵活配置，以实现多种存储模式，使存储器的自由度更高。

主权项

一种NAND Flash存储器，其特征在于，所述NAND Flash存储器包括寄存器、比较器、地址译码器和存储阵列；第一次使用时，预先在所述寄存器中存储所述NAND Flash存储器的存储模式和配置信息，其中所述存储模式包括部分SLC模式部分MLC模式、部分SLC模式部分TLC模式、部分MLC模式部分TLC模式、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式，其中所述配置信息包括存储块的地址和存储块的类型，其中所述存储块类型为SLC类型、MLC类型或TLC类型；当所述NAND Flash收到读取地址时，用所述比较器将所述读取地址与所述寄存器中的配置信息进行比较，获取所述读取地址对应的存储块的存储模式，所述地址译码器依据所述存储模式对所述读取地址进行译码；所述存储阵列根据译码后的地址返回对应的数据块的信息；第一次使用时进一步包括：若需要用n位地址定位到所述NAND Flash存储器的存储阵列中的存储块，则：如果所述NAND Flash存储器的存储阵列中配置有包含TLC模式的存储块，用n+2位地址存储各存储块的地址，指定最后两位用于存储TLC模式的存储块的电位信息，进一步指定倒数第二位用于存储MLC模式的存储块的电位信息；如果所述NAND Flash存储器的存储阵列中没有配置包含TLC模式的存储块而配置有包含MLC模式的存储块时，用n+1位地址存储各存储块的地址，指定最后一位用于存储MLC模式的存储块的电位信息；如果所述NAND Flash存储器的存储阵列中既没配置包含TLC模式的存储块也没配置有包含MLC模式的存储块时，使用n位数据来存储各存储块的地址。