[发明专利]静电保护结构有效
| 申请号： | 201210461488.9 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103811483A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;王邦麟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种静电保护结构，包括P型衬底中的N型深阱，N型深阱上部的P阱、N+扩散区和场氧化区，P阱上部的P+扩散区、N+扩散区和场氧化区，多晶硅栅极生长在N型深阱和P阱的上方；其中，所述P阱上部的N+扩散区靠近多晶硅栅极的一侧还有一P+有源区，所述P+有源区与所述P阱上部N+扩散区之间具有场氧化区，P阱上部的P+扩散区和N+扩散区相接引出作为接地端，所述P+有源区通过电阻和电容与所述N型深阱上部的N+扩散区相接引出作为静电输入端，多晶硅栅极引出连接在所述电阻和电容之间。本发明能在不影响器件耐压的情况下降低器件静电触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种静电保护结构，包括P型衬底中的N型深阱，N型深阱上部的P阱、N+扩散区和场氧化区，P阱上部的P+扩散区、N+扩散区和场氧化区，多晶硅栅极生长在N型深阱和P阱的上方；其特征是：所述P阱上部的N+扩散区靠近多晶硅栅极的一侧还有一P+有源区，所述P+有源区与所述P阱上部N+扩散区之间具有场氧化区，P阱上部的P+扩散区和N+扩散区相接引出作为接地端，所述P+有源区通过电阻和电容与所述N型深阱上部的N+扩散区相接引出作为静电输入端，多晶硅栅极引出连接在所述电阻和电容之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210461488.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于载重胎模具表面化学镀的镍磷合金镀液和化学镀方法
- 下一篇：辅助变流器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
