[发明专利]具有后偏置磁体和半导体芯片元件的设备有效
| 申请号： | 201210462154.3 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103066197A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | K·埃利安;G·恩斯特;H·特伊斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/12;G01R33/02;G01D5/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种设备，具有后偏置磁体和半导体芯片元件，其中半导体芯片元件具有用于测量磁场强度的传感器，并且其中在后偏置磁体的接触侧和半导体芯片元件的接触侧构成接触面，并且其中半导体芯片元件的接触侧如此具有一个或者多个结构，使得后偏置磁体的接触面相应于半导体芯片元件的结构来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏置 磁体 半导体 芯片 元件 设备 | ||
【主权项】：
设备，具有：后偏置磁体(700)，半导体芯片元件(100)，其中，半导体芯片元件(100)具有用于测量磁场强度的传感器(200)，并且其中在后偏置磁体(700)的接触侧和半导体芯片元件的接触侧构成接触面，并且其中半导体芯片元件(100)的接触侧如此具有一个或者多个结构，使得后偏置磁体(700)的接触面相应于半导体芯片元件的结构形成。
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