[发明专利]三维集成电路及其制作方法在审
| 申请号： | 201210462359.1 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103579208A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 黄财煜 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张艳杰;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维集成电路及其制作方法，所述三维集成电路包括：一第一中介层，包括穿基底插塞(through substrate via，TSV)位于其中，和电路位于其上；多个第一有源管芯，位于第一中介层的一第一侧上方；多个包括穿基底插塞的第一中间中介层，位于第一中介层的第一侧上方；及一第二中介层，包括穿基底插塞位于其中，和电路位于其上，其中第一中间中介层支撑第二中介层。本发明实施例的三维集成电路具有以下优点：由于有中介层和中间中介层，本发明可在有源管芯中不形成穿基底插塞的情形下，形成三维集成电路。因此，有源管芯可用的有源区域可增加，且可避免由有源管芯中的穿基底插塞(TSV)产生的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种三维集成电路，包括：一第一中介层，包括穿基底插塞位于其中，和电路位于其上；多个第一有源管芯，位于该第一中介层的一第一侧上方；多个包括穿基底插塞的第一中间中介层，位于该第一中介层的该第一侧上方；及一第二中介层，包括穿基底插塞位于其中，和电路位于其上，其中该第一中间中介层支撑该第二中介层。
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