[发明专利]具有保护层结构的碳层材料的制备方法无效
申请号: | 201210465620.3 | 申请日: | 2011-10-23 |
公开(公告)号: | CN102925857A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 马宇尘 | 申请(专利权)人: | 常州碳元科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C14/12 | 分类号: | C23C14/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213149 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种具有保护层结构的碳层材料的制备方法,属于碳材料技术领域。该方法包括有如下步骤:针对于需要进行聚合物气相沉积的碳层材料,在其上选取两个或者两个以上的待接触点;随着聚合物气相沉积操作的进行,变换这两个或两个以上待接触点的掩盖状况,使其不在同一时间内同时掩盖碳层材料;聚合物气相沉积镀膜的厚度选择在0.05-15微米之间,在进行全部的聚合物气相沉积的镀膜操作后,完成针对于碳层材料的全面镀膜操作。利用本发明,在碳层材料外围通过聚合物气相沉积的方式生成镀膜,来将现有的碳层材料的保护层的厚度大幅度降低,从而有效提升碳层材料应用于导热目的情况下的散热效率,以及应用于其它需要在碳层材料上设置保护层的场合。 | ||
搜索关键词: | 具有 保护层 结构 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有保护层结构的碳层材料的制备方法,其特征在于:在针对于碳层材料进行聚合物气相沉积镀膜处理时,将碳层材料进行全面镀膜的方式包括有如下步骤,步骤1,针对于需要进行聚合物气相沉积的碳层材料,在其上选取两个或者两个以上的待接触点;步骤2,随着聚合物气相沉积操作的进行,变换这两个或两个以上待接触点的掩盖状况,使其不在同一时间内同时掩盖碳层材料;步骤3,聚合物气相沉积镀膜的厚度选择在0.05‑15微米之间,在进行全部的聚合物气相沉积的镀膜操作后,完成针对于碳层材料的全面镀膜操作。
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