[发明专利]硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法有效
| 申请号： | 201210465969.7 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102978699A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 孙新利 | 申请（专利权）人： | 孙新利 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 | 代理人： | 竺诗忍 |
| 地址： | 313199 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法，包括如下步骤：（1）清洁；（2）将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中；（3）用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空；（4）开启加热器进行加温熔化多晶硅；（5）待多晶硅完全熔化，下调加热器功率，保持熔体熔化状态1455摄氏度；（6）向熔体内进行镓元素掺杂；（7）充分混合后，稳定熔体温度在1450摄氏度，并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却；（8）将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗，并进行器件制作。本发明硼镓共掺的重掺P型硅单晶具有吸杂能力强，机械性能好，微缺陷少等优点，是优质的外延衬底和器件衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 硼镓共掺 单晶硅 生长 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法，其特征在于包括如下步骤：（1）清洁热场、单晶炉、石英坩埚部件；（2）打开单晶炉，将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中；（3）封闭单晶炉，用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空；（4）打开氩气流量，向单晶炉通入高纯氩气，高纯氩气流量为30~80slpm，同时开启加热器进行加温，熔化多晶硅；（5）待多晶硅完全熔化，下调加热器功率，保持熔体熔化状态1455摄氏度；（6）利用主室和副室隔离阀，结合镓元素的掺杂装置向熔体内进行镓元素掺杂；（7）充分混合后，稳定熔体温度在1450摄氏度，并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却，成型后单晶硅含有浓度为1×1018~1×1021atoms.cm‑3硼和浓度为1×1017~1×1020atoms.cm‑3的镓；（8）将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗，并进行器件制作。
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