[发明专利]半导体装置及其制造方法和存储器系统在审
| 申请号： | 201210466158.9 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103489868A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李相范 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置、一种包括该半导体装置的存储器系统以及一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：在衬底上形成的垂直沟道层；在每个垂直沟道层的长度周围交替形成的传导层图案和绝缘层图案；以及在每个垂直沟道层和每个传导层图案之间形成的电荷存储层图案，其中每个电荷存储层图案通过绝缘层图案隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 存储器 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：在衬底上形成的垂直沟道层；在每个垂直沟道层的长度周围交替形成的传导层图案和绝缘层图案；以及在每个垂直沟道层和每个传导层图案之间形成的电荷存储层图案，其中每个电荷存储层图案通过所述绝缘层图案隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
