[发明专利]三维非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201210466375.8 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103226972B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 崔殷硕;安正烈;金世训;朴龙大;林仁根;吴政锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/11565;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 周涛,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例的三维非易失性存储器件，包括多个位线；至少一个存储串行，所述至少一个存储串行沿着第一方向延伸、与所述位线耦接并且包括2N个存储串，其中N包括自然数；公共源极选择线，所述公共源极选择线被配置来控制包括在存储器块中的2N个存储串的源极选择晶体管；第一公共漏极选择线，所述第一公共漏极选择线被配置来控制包括在存储器块中的2N个存储串之中的第一存储串和第2N存储串的漏极选择晶体管；以及N‑1个第二公共漏极选择线，所述N‑1个第二公共漏极选择线被配置来控制除了所述第一存储串和所述第2N存储串之外的其余存储串之中的在第一方向上的相邻存储串的漏极选择晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种三维非易失性存储器件，包括：多个位线；至少一个存储串行，所述至少一个存储串行沿着第一方向延伸、与所述位线耦接并且包括2N个存储串，其中N包括自然数；公共源极选择线，所述公共源极选择线被配置来控制包括在存储器块中的2N个存储串的源极选择晶体管；第一公共漏极选择线，所述第一公共漏极选择线被配置来控制包括在存储器块中的2N个存储串之中的第一存储串和第2N存储串的漏极选择晶体管；以及N‑1个第二公共漏极选择线，所述N‑1个第二公共漏极选择线被配置来控制除了所述第一存储串和所述第2N存储串之外的其余存储串之中的在第一方向上的相邻存储串的漏极选择晶体管。
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