[发明专利]一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板及其制备方法无效
申请号: | 201210467511.5 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN102945828A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 徐苗;罗东向;庞佳威;王琅;周雷;李民;徐华;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 广州新视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 李慧 |
地址: | 510730 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板及其制备方法,包括:在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;在栅极金属层上沉积一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;在栅极绝缘层上沉积并图形化金属氧化物薄膜作为有源层;在有源层上沉积另一绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上图形化并定义薄膜晶体管的源漏电极区域、存储电容的有效面积和接触孔;在刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层作为薄膜晶体管的源漏电极层。其存储电容由栅极金属层作为下电极板、栅极绝缘层作为介电层、有源层作为栅极绝缘层的保护层、通过刻蚀阻挡层定义电容的有效面积,并由导电薄膜层作为电容的上电极板。具有制备工艺简单、成本低廉的特点,具有重要产业应用价值的技术。 | ||
搜索关键词: | 一种 主动 矩阵 有机 发光 二极体 驱动 背板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法,依次包括如下步骤:在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;在所述栅极金属层上沉积一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上沉积并图形化金属氧化物薄膜作为有源层;在所述有源层上沉积另一绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡层上图形化并定义薄膜晶体管的源漏电极区域、存储电容的有效面积和接触孔;在所述刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层作为薄膜晶体管的源漏电极层;其特征在于,所述存储电容由栅极金属层作为下电极板、栅极绝缘层作为介电层、有源层作为栅极绝缘层的保护层、通过刻蚀阻挡层定义电容的有效面积,并由导电薄膜层作为电容的上电极板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造