[发明专利]一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210467511.5 申请日: 2012-11-19
公开(公告)号: CN102945828A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 徐苗;罗东向;庞佳威;王琅;周雷;李民;徐华;彭俊彪 申请(专利权)人: 广州新视界光电科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 李慧
地址: 510730 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板及其制备方法,包括:在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;在栅极金属层上沉积一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;在栅极绝缘层上沉积并图形化金属氧化物薄膜作为有源层;在有源层上沉积另一绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上图形化并定义薄膜晶体管的源漏电极区域、存储电容的有效面积和接触孔;在刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层作为薄膜晶体管的源漏电极层。其存储电容由栅极金属层作为下电极板、栅极绝缘层作为介电层、有源层作为栅极绝缘层的保护层、通过刻蚀阻挡层定义电容的有效面积,并由导电薄膜层作为电容的上电极板。具有制备工艺简单、成本低廉的特点,具有重要产业应用价值的技术。
搜索关键词: 一种 主动 矩阵 有机 发光 二极体 驱动 背板 及其 制备 方法
【主权项】:
一种主动矩阵有机发光二极体驱动背板的制备方法,依次包括如下步骤:在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层;在所述栅极金属层上沉积一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上沉积并图形化金属氧化物薄膜作为有源层;在所述有源层上沉积另一绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡层上图形化并定义薄膜晶体管的源漏电极区域、存储电容的有效面积和接触孔;在所述刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层作为薄膜晶体管的源漏电极层;其特征在于,所述存储电容由栅极金属层作为下电极板、栅极绝缘层作为介电层、有源层作为栅极绝缘层的保护层、通过刻蚀阻挡层定义电容的有效面积,并由导电薄膜层作为电容的上电极板。
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