[发明专利]多晶硅还原炉无效
| 申请号： | 201210468416.7 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102923710A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 | 申请（专利权）人： | 中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100038*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；三十对电极，所述三十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第六圈上，所述第一至第六圈为以所述底盘中心为中心且由内向外依次增大的六个同心正五边形；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第五圈与所述底盘的之间。根据本发明实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 | ||
【主权项】：
一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；三十对电极，所述三十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第六圈上，所述第一至第六圈为以所述底盘中心为中心且由内向外依次增大的六个同心正五边形；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第五圈与所述底盘的外周沿之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国恩菲工程技术有限公司，未经中国恩菲工程技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210468416.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种荧光灯灯丝预热控制电路
- 下一篇：一种用于文件拍摄仪上的光感应装置
