[发明专利]一种高阻尼Mg-Si多孔复合材料及制备方法有效
| 申请号： | 201210469313.2 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102925735A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 万迪庆;刘雅娟;于田 | 申请（专利权）人： | 华东交通大学 |
| 主分类号： | C22C1/08 | 分类号： | C22C1/08;C22C23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330013 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明是一种高阻尼Mg-Si多孔复合材料及制备方法，特别是一种通过常压高温反应烧结工艺制备的Mg-Si多孔复合材料，采用密封容器作为承载体，将含Si重量百分比含量为15%~30%的镁粉装入容器中并密封，防止空气与粉末接触，烧结温度为690~700℃，烧结时间为2~3小时。在该烧结过程中Mg和Si通过原位内生法生成Mg2Si颗粒并形成多孔复合材料，这种多孔材料具有高阻尼性能。本发明可进一步推动高阻尼镁合金在航空、航天、交通等众多领域的广泛应用并产生较大的社会效益和经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻尼 mg si 多孔 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高阻尼Mg‑Si多孔复合材料及制备方法，其制备方法为以纯镁粉为基体，加入纯硅粉并通过控制烧结温度、烧结时间、硅含量，采用常压高温反应烧结工艺制备Mg‑Si金属多孔复合材料，该多孔材料具有高阻尼性能。
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