[发明专利]二芳基酮中心的偶氮分子三进制电存储材料及制备和应用有效
申请号: | 201210469630.4 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN102936208A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 路建美;缪世峰;李华 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C07C245/08 | 分类号: | C07C245/08;C07C245/10;H01L51/40;H01L27/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种以二芳基酮为中心基团的偶氮分子三进制电存储材料及其制备和应用,所述偶氮分子的结构式如下:式中,DAK为3,3’-二苯甲酰基、4,4’-二苯甲酰基或2,7-芴酮基;R为N,N-二C1~C6直链烷基氨基、N,N-二苯基氨基或羟基;本发明所公开的该偶氮分子的合成工艺简单;采用该偶氮分子制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件,制作工艺成熟,器件性能稳定,在单位密度内的数据存储量比基于“0”和“1”二进制数据存储呈指数级增长,在未来超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。 | ||
搜索关键词: | 二芳基酮 中心 偶氮 分子 三进制电 存储 材料 制备 应用 | ||
【主权项】:
1.下述通式(I)的以二芳基酮为中心基团的偶氮化合物:其中,DAK为3,3’-二苯甲酰基、4,4’-二苯甲酰基或2,7-芴酮基;R为N,N-二C1~C6直链烷基氨基、N,N-二苯基氨基或羟基。
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