[发明专利]晶体管、显示装置和电子设备有效
申请号: | 201210470044.1 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN103151460B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 牛仓信一;野元章裕;安田亮一;汤本昭;米屋伸英;辻川真平 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 陈桂香,褚海英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及晶体管、显示装置和电子设备。晶体管包括栅电极;面对栅电极的半导体层,绝缘层位于半导体层和栅电极之间;一对源漏电极,其电连接到半导体层;和接触层,其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中,接触层的端表面被源漏电极覆盖。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种晶体管,其包括:栅电极;面对所述栅电极的半导体层,绝缘层位于所述半导体层和所述栅电极之间;一对源漏电极,其电连接到所述半导体层;和接触层,其设置在一对所述源漏电极中的每一者与所述半导体层之间的载流子移动路径中,所述接触层的端表面被所述源漏电极覆盖,其中,所述一对源漏电极各自具有直接与所述绝缘层接触的区域以及直接与所述半导体层接触的区域,且所述接触层仅设置在所述半导体层上,其中,所述接触层包括彼此面对的一对第一接触层和第二接触层,所述第一接触层和所述第二接触层设置在所述半导体层和一对所述源漏电极中的每一者之间,并且彼此面对的所述第一接触层的表面和所述第二接触层的表面也被所述源漏电极覆盖。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210470044.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择